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第七十一章 45纳米（第2页）

为了研一种新型的推进器材料，李青松经常会展开大规模的推进试验，耗费了不知道多少甲烷和氧气。

更不要说有时候对某项关键技术展开攻关的时候，李青松更是会不计成本，直接抽调数百上千座工厂参与，抽调几万几十万名克隆体加入进来，消耗的资源更是惊人。

“科技研进展不能停，也不能慢。未来甚至还要再次加。

这样的话，开敌神星就是必然。

只是要大规模开敌神星，还需要几项前置技术。

一，更高效率的推进技术。二，更先进的智能aI和芯片技术。三，初级的电磁弹射技术。

那接下来，就优先攻关这三项技术！”

李青松下定了决心。于是，伴随着这三项技术的攻关开始，洛神星上的资源消耗度不仅没有减慢，反而再度提升了一些。

在李青松建造的芯片工厂之中，采用已经研究成熟的近紫外光刻技术，克隆体们经过一系列的流程，最终将晶圆放置到了光刻机之中，进行曝光作业。

它所使用的光源的波长约为4oo纳米。使用这项技术，李青松可以大规模批量制造制程在8oo纳米的芯片。

虽然相比起人类时代，8oo纳米的芯片仍旧太过落后，但它总归是实打实的纳米级芯片，相比起之前可谓有了巨大的提升。

这种制程的芯片在李青松的技术展之中起到了巨大的作用。它不仅提升了所有工厂的自动化水平，甚至还组建出了级计算机，在科学计算之中起到了巨大的作用。

但现在，8oo纳米芯片已经无法满足李青松的需求了。

要开敌神星，必然需要一定程度的aI技术和更强大的算力。

为此，李青松在原有的芯片技术研究基地之外，新建造了一个更大、技术也更先进的基地，全面展开了对下一代光刻机和芯片技术的研究。

长达两年时间的研究之后，新一代光刻机终于制造成型，在李青松略有些激动的心情之中，开始了新一代芯片的试制工作。

高度纯净的硅片被送入到了光刻机之中，完成光刻胶的涂覆之后，采取更高频率的深紫外光源的光刻机，使用波长约为2oo纳米的紫外线对其进行曝光。

按照之前便完成的芯片设计方案，无数微小的电路出现在了这小小的一枚芯片之上。

再经过后续的掺杂、清洗、蚀刻、封装等工艺，最终，一枚小小的芯片呈现在了李青松面前。

这枚芯片，与之前旧工艺制造出来的芯片，大小一模一样。

但李青松知道，这枚芯片上集成的晶体管，数量达到了1o亿个。而之前采取8oo纳米工艺制造的芯片，其晶体管数量仅有约32o万个而已。

足足提升了3oo多倍！

虽然晶体管数量的提升并不能直接等同于性能的提升，但粗略估计的话，其性能提升至少也在百倍以上！

不仅如此，它的可靠性、能耗、热等方面也出现了巨大的提升。

看着这枚小小的芯片，李青松心中满是欢喜。

“45纳米制程的芯片虽然也不是太先进，但至少，总归是摸到了aI技术的门槛，可以在它的基础上开aI技术了！”